1969 年起,富士通開始提供存儲器,至今已走過了 46 個年頭。現在 ,富士通半導體主要提供高質量、高可靠性的非易失性存儲器“FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)”。FRAM應用于智能卡及IC卡等卡片領域、電力儀表及產業設備等產業領域,以及醫療設備及醫療RFID標簽等醫療領 域。近年來,還被應用于可穿戴設備、工業機器人以及無人機中。以下相關產品資料可供下載。

FRAM 產品特性

FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器(內存)。FRAM的數據保持,不僅不需要備用電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統的非易失性存儲器相 比,具有優越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。

FRAM 產品陣容

串行接口存儲器的產品陣容有16Kbit至4Mbit的SPI接口產品,以及4Kbit至1Mbit的I2C接口產品。電源電壓除主要的3.3V工作產品外,正在擴充1.8V工作產品。封裝形式除能夠與EEPROM及串行閃存兼容的SOP外,還提供可穿戴設備用SON(Small Outline Non-leadedpackage)及WL-CSP(Wafer Level Chip Size Package)等超小型封裝形式的產品。
同時,使用TSOP或SOP封裝形式提供256Kbit至4Mbit的并行存儲器。在利用SRAM及數據保存用電池供電的應用中,并行存儲器被用作進一步降低能耗或減少電池的解決方案。

FRAM 產品系列

FRAM產品可分為兩個系列。
分別是以SOP/SON等封裝產品形式提供的“獨立存儲器”和FRAM內置的RFID用LSI 以及驗證LSI等的“FRAM內置LSI”。 另外,根據客戶的要求,開發和供應最大限度發揮應用優勢及性能的FRAM內置定 制LSI。

串行接口存儲器

串行接口存儲器的產品陣容有4Kbit至1Mbit的I2C接口產品,以及16Kbit至4Mbit的SPI接口產品。
電源電壓除主要的3.3V工作產品外,正在擴充1.8V工作產品。封裝除能夠與EEPROM及串行閃存兼容的SOP外,還提供可穿戴設備用SON(Small Outline Non-leaded package)及WL-CSP(Wafer Level Chip Size Package)等超小型封裝產品。與其他非易失性存儲器相比,串行接口存儲器的優勢在于寫入快、讀寫耐久性高、功耗低。

I2C 接口

產品型號P/N 內存容量 輸入電壓 工作頻率
(MAX)
工作溫度 讀寫耐久性
(讀寫次數)
數據保持時間
(保證值)(*1)
封裝類別 文檔下載
MB85RC1MT 1Mbit 1.8至3.6V 3.4MHz -40至+85℃ 1013(10萬億次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RC512T 512Kbit 1.8至3.6V 3.4MHz -40至+85℃ 1013(10萬億次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RC256V 256Kbit 2.7至5.5V 1MHz -40至+85℃ 1012(1萬億次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RC128A 128Kbit 2.7至3.6V 1MHz -40至+85℃ 1012(1萬億次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RC64TA 64Kbit 1.8至3.6V 3.4MHz -40至+85℃ 1013(10萬億次) 10年(+85℃) SOP-8/SON-8
MB85RC64A 64Kbit 2.7至3.6V 1MHz -40至+85℃ 1012(1萬億次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RC64V 64Kbit 3.0至5.5V 1MHz -40至+85℃ 1012(1萬億次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RC16 16Kbit 2.7至3.6V 1MHz -40至+85℃ 1012(1萬億次) 10年(+85℃) SOP-8/SON-8
MB85RC16V 16Kbit 3.0至5.5V 1MHz -40至+85℃ 1012(1萬億次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RC04V 4Kbit 3.0至5.5V 1MHz -40至+85℃ 1012(1萬億次) 10年(+85℃) SOP-8
*1:當工作溫度低于+85℃時,數據保持時間可以延長,詳細請參考數據手冊。

SPI 接口

產品型號P/N 內存容量 輸入電壓 工作頻率 (MAX) 工作溫度 讀寫耐久性
(讀寫次數)
數據保持時間
(保證值)(*1)
封裝類別 文檔下載
MB85RQ4ML
(*2)
4Mbit 1.7至1.95V 108MHz -40至+85℃ 1013(10萬億次) 10年(+85℃) SOP-16
MB85RS2MT 2Mbit 1.8至3.6V 25MHz(*3) -40至+85℃ 1013(10萬億次) 10年(+85℃) SOP-8/DIP-8
MB85RS1MT 1Mbit 1.8至3.6V 30MHz(*3) -40至+85℃ 1013(10萬億次) 10年(+85℃) SOP-8/WL-CSP-8
MB85RS512T 512Kbit 1.8至3.6V 30MHz(*3) -40至+85℃ 1013(10萬億次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RS256B 256Kbit 2.7至3.6V 33MHz -40至+85℃ 1012(1萬億次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RS128B 128Kbit 2.7至3.6V 33MHz -40至+85℃ 1012(1萬億次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RS64 64Kbit 2.7至3.6V 20MHz -40至+85℃ 1012(1萬億次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RS64V 64Kbit 3.0至5.5V 20MHz -40至+85℃ 1012(1萬億次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RS16 16Kbit 2.7至3.6V 20MHz -40至+85℃ 1012(1萬億次) 10年(+85℃) SOP-8
MB85RS16N 16Kbit 2.7至3.6V 20MHz -40至+95℃ 1萬億次(+85℃)
或1百億次(+95℃)
10年(+95℃) SOP-8/SON-8
MB85RDP16LX
(*4)
16Kbit 1.65至1.95V 15MHz(*5) -40至+105℃ 1013(10萬億次) 10年(+105℃) SON-8
*1:當工作溫度低于+85℃時,數據保持時間可以延長,詳細請參考數據手冊。
*2:滿足SPI以及Quad
*3:高速讀取模式時,可實現最大40MHz操作。
*4:有二進制計數器功能
*5:雙SPI模式時,可實現最大7.5MHz操作。

并行接口存儲器

并行接口存儲器為采用TSOP或SOP封裝的256Kbit至4Mbit的產品,工作時的電源電壓為3.3V,但MB85R4M2T能夠在1.8V-3.6V的大 范圍內進行工作。
封裝方式為能夠與SRAM兼容的TSOP或SOP。
在SRAM及使用數據保持電池的應用中,并行接口存儲器被作為進一步降低能耗或減少電池的解決方案。

產品型號P/N 內存容量 輸入電壓 工作頻率
(MAX)
工作溫度 讀寫耐久性
(讀寫次數)
數據保持時間
(保證值)(*1)
封裝類別 文檔下載
MB85R4M2T 4Mbit(256K×16) 1.8至3.6V 150ns -40至+85℃ 1013(10萬億次) 10年(+85℃) TSOP-44
MB85R4001A 4Mbit(512K×8) 3.0至3.6V 150ns -40至+85℃ 1010(1百億次) 10年(+55℃) TSOP-48
MB85R4002A 4Mbit(256K×16) 3.0至3.6V 150ns -40至+85℃ 1010(1百億次) 10年(+55℃) TSOP-48
MB85R1001A 1Mbit(128K×8) 3.0至3.6V 150ns -40至+85℃ 1010(1百億次) 10年(+55℃) TSOP-48
MB85R1002A 1Mbit(64K×16) 3.0至3.6V 150ns -40至+85℃ 1010(1百億次) 10年(+55℃) TSOP-48
MB85R256F 256Kbit(32K×8) 2.7至3.6V 150ns -40至+85℃ 1012(1萬億次) 10年(+85℃) TSOP-28/SOP-28
*1:當工作溫度低于+55℃或+85℃時,數據保持時間可以延長,詳細請參考數據手冊。

封裝尺寸

串行接口存儲器
封裝類型 頂視圖 寬度×長度
(mm)
高度
(mm)
WL-CSP-8 2.3×3.1 0.33
SON-8 2.0×3.0 0.7
SOP-8 3.9×5.1 1.75
SOP-16 7.5×10.3 2.7
并行接口存儲器
封裝類型 頂視圖 寬度×長度
(mm)
高度
(mm)
SOP-28 7.6×17.8 2.8
TSOP-28 8.0×11.8 1.2
TSOP-44 10.2×18.4 1.2
TSOP-48 12.0×12.4 1.2

FRAM 產品高技術能力證明

富士通公司自1995年開始開發FRAM,具有17年以上的豐富的量產業績。正是“量產化”的實現以及持續的穩定供給,證明本公司具有非常高的技術能力。

分別是以SOP/SON等封裝產品形式提供的“獨立存儲器”和FRAM內置的RFID用LSI 以及驗證LSI等的“FRAM內置LSI”。 另外,根據客戶的要求,開發和供應最大限度發揮應用優勢及性能的FRAM中使用了鐵電,而在此之前的半導體過程中,鐵電會出現劣化,所以很難實現量產。本公司確定了劣化的原因,并在制造過程中采取了相應的措施,最終在世界上率先成功實現了量產。公司開發的量產實現技術以及FRAM產品對社會的貢獻已得到認可,2011年以后也獲得了多個權威獎項。今后,我們也將致力于穩定供應由高技術能力支撐的高質量存儲器。

FRAM 銷售公司

富士通電子元器件(上海)有限公司

上海市黃浦區蒙自路歌斐中心6樓03-05單元 郵編:200023 電話: 021-6146 3688

深圳:0755-2583 0028 | 北京:010-5969 1600 | 大連:0411-3999 0600 | 武漢:13419692700 | 重慶:18580310515

填寫信息

請正確填寫您的個人資料,以便獲獎時聯系到您

*姓名:
*郵箱:
*手機:
   QQ:
*公司:
*職能:
請選擇您的工作職能
*行業:
請選擇貴公司產品應用領域
*地址:
彩票开奖查询2019