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瑞薩電子推出基于SOTB工藝的嵌入式閃存低功耗技術 實現能量收集并無需電池供電

2019年06月15日 10:01 ? 次閱讀
瑞薩電子株式會社宣布,推出基于65nm SOTB((薄氧化埋層上覆硅)工藝的新型嵌入式閃存低功耗技術,可提供1.5MB容量,是業界首款基于65nm SOTB技術的嵌入式2T-MONOS(雙晶體管-金屬氧化氮氧化硅)閃存(注1)。通過引入全新電路技術來降低閃存中外圍電路的功耗,實現了在64 MHz的工作頻率下低至0.22 pJ/bit的讀取能耗——這是業界嵌入式閃存在MCU上的最低水平。用于外圍電路的新低功率技術包括:(1)在檢測存儲器中的數據時降低能耗;(2)在將讀取的數據發送到外部時減少傳輸能耗。該先進技術幫助讀取存儲器數據時的能耗大幅降低。
瑞薩在6月12日在日本京都召開的2019年度“VLSI和電路技術專題研討會(2019年6月9-14日)”上展示相關測試結果。
基于SOTB的新技術已在瑞薩R7F0E嵌入式控制器中所采用,該控制器專門用于能量采集應用。瑞薩獨有的SOTB工藝技術可顯著降低工作和待機狀態下的功耗。通常,這兩種狀態下的功耗互為消長:即一種功耗較低意味著另一種功耗較高。當從閃存讀取數據時,新技術大幅降低功耗。與非SOTB 2T-MONOS閃存(約需50μA/MHz讀取電流)相比,新技術實現的讀取電流僅6μA/MHz左右,等效于0.22 pJ/bit的讀取能耗,達到MCU嵌入式閃存最低能耗級別。這項新技術還有助于在R7F0E上實現20μA/MHz的低有效讀取電流,達到業界最佳。

全新嵌入式閃存技術的關鍵特性:

適用于SOTB工藝的低功耗2T-MONOS閃存
采用SOTB工藝的2T-MONOS嵌入式閃存具備包含電隔離元件的雙晶體管結構。與單晶體管結構不同,在讀取操作期間無需負電壓,使讀取數據時的功耗降低。此外,同其它存儲器處理相比,MONOS在生產過程中使用更少的掩模,并可使用離散電荷捕獲方案存儲數據,從而能夠在不增加生產成本的情況下帶來低功耗和高重寫可靠性。
適用于SOTB工藝的低功耗2T-MONOS閃存
用于超低耗能的感測放大器電路及穩壓器電路技術
存儲器讀取過程中的大部分能量消耗發生在識別數據的感測操作,以及將識別的數據輸出至外部這兩個環節。為了解決此問題,單端感測放大器在感測操作期間顯著降低了位線預充電能量,其采用全新電荷轉移技術,可提高預充電速度和能源效率。此外,新推出的穩壓器電路技術利用漏電監測,對感測放大器的基準電壓進行最佳間歇控制,使其以恒定的方式消耗能量。這些先進技術不僅大幅降低能耗,同時加速感測操作。
用于超低耗能的感測放大器電路及穩壓器電路技術
大幅削減數據傳輸能耗的電路技術
SOTB工藝的特性之一是實現了晶體管閾值(Vth)波動的最小化。新技術借助這一優勢,利用極小的電壓幅值實現數據傳輸。當讀取數據發送至外部時,該技術使得傳輸能量的消耗顯著降低。
瑞薩通過幫助使端點設備更加智能化,以加速推動“智能社會”的發展。瑞薩認為,通過無電池方案,能源收集系統徹底擺脫更換電池的困擾,是實現這一目標的必要步驟。同時,瑞薩將持續致力于幫助實現環保型智能社會的技術開發。
大幅削減數據傳輸能耗的電路技術

注釋

(注1)MONOS:金屬氧化氮氧化硅。此技術使瑞薩在EEPROM、安全MCU和其它產品領域取得了超過20年的優異業績。MONOS技術應用于瑞薩MCU產品中的嵌入式閃存。

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