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歐司朗2019財年業績呈現雙位數下滑,這是為什么?

漁翁先生 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:Allen Yin 整合 ? 2019-11-13 15:35 ? 次閱讀

由于市場環境的嚴峻和需求下降及政治和經濟方面的不確定性持續不斷,歐司朗半導體2019財年全年銷售收入不佳,下降幅度超過兩位數。主要導致原因歸結為汽車和中國市場環境需求疲軟。

11月13日(北京時間),歐司朗半導體發布了2019財年第四季度及全年的銷售業績。第四季度總營收為9.24億歐元,同比下降約9%。全年可比收入下降13%至約35億歐元。總體而言,業務呈現下滑趨勢。個中細節原因,我們從以下進行探討。


圖:歐司朗2019年財年營收情況及業務分布。來源/歐司朗財報數據

首先我們先來看下首席執行官Olaf Berlien對此的看法。

Olaf Berlien說:

“在過去的財年里,歐司朗實現了2019年3月調整后的業務目標。受汽車行業市場波動以及中國區市場疲軟的影響,根據可比方式計算后,公司銷售額下降13.1%至35億歐元。調整后的息稅折舊攤銷前利潤為3.07億歐元,相應的利潤率為8.9%。自由現金流超出預期,為1700萬歐元。受到主要來自數字照明系統(DS)業務部門和合資企業歐司朗大陸有限公司(Osram Continental)的影響,持續經營的凈收入將進行非現金商譽攤銷。歐司朗預計,全球汽車產量短期內不會有大幅反彈。鑒于市場前景,歐司朗根據適用的會計準則,已對歐司朗大陸有限公司的商譽減值1.71億歐元。”

汽車,通用照明同比下降均超9%,僅數字業務維持增長

然后是歐司朗的三大產品業務構成及市場反應情況。

在過去的一個財政年度,光電半導體事業部(OS)的收入達15億歐元。由于在早期階段就實施降本增效舉措,調整后的息稅折舊攤銷前利潤率達到17.5%。業務的戰略性重組和產品組合優化極大提升了光電事業部的發展。

受到汽車行業尤其中國市場急劇下滑的影響,以及用戶使用習慣的變化,汽車事業部(AM)在過去業績有所下滑,營業收入達18億歐元,調整后的息稅折舊攤銷前利潤率為7.8%。該部門的盈利能力主要受到歐司朗大陸有限公司的影響。

在數字事業部(DI),控制設備相關業務業績下滑,植物照明業務發展迅速,整個事業部營業收入達9.16億歐元,調整后息稅折舊攤銷前利潤率為-1%。

2019財年第四季度營收同比下降約9%


圖:歐司朗2019財年三大產品業務營收情況。來源/歐司朗財報數據

財報顯示,歐司朗第四季度業績增長并不明顯,有下降的趨勢。一位歐司朗官方人士指出,外匯的影響以及歐司朗業務組合的增加對收入增長產生了積極影響。

該公司的汽車業務對傳統光源和LED光源的客戶需求不斷下降,因此EMEA進一步下降。在美洲,傳統和汽車LED OEM業務與去年相比有所下降。作為DI的一部分,數字系統業務收入下降,原因是美國的通用照明市場繼續充滿挑戰,美國大型照明公司的公開聲明也呼應了這一點。

與去年同期相比,亞太地區的中國業務繼續保持兩位數的較低水平。換句話說,與2019年第三季度相比,歐司朗錄得強勁的名義增長。似乎已經完成了必要的工業供應鏈調整,以應對較低的市場需求。但是,對于從現在開始是否會發生某種形式的復蘇,該公司表示,仍然會保持謹慎。

由于營收下降,資本支出開始縮減

2019財年實際節省的開支比計劃目標超額完成約20%,達1.07億歐元。由于公司管理提升和結構優化,預計2017年至2021年之間,開支減少約2.2億歐元。迄今為止,已超過2億歐元已在預算范圍。

歐司朗過去一個財政年度的特別支出達1.31億歐元,主要用于人事調整、并購相關議題和進一步提高效率的措施。由于經濟發展和技術不斷更迭,進一步的結構調整仍有必要,相關議題仍在研討。預計新財政年度的特別支出將與上一財年持平。

全球經濟短期面臨諸多挑戰,然而從長遠來看,經濟發展趨勢沒有改變。一方面,歐司朗仍為傳統市場提供先進的技術與解決方案,另一方面,歐司朗向光電高科技公司的轉型步伐正在進一步加快。因此,歐司朗仍然期望在兩年內達成中期目標。

業務戰略調整持續,和AMS合并邁出重要一步

另外,從該公司的發展戰略上來看,歐司朗和艾邁斯(AMS)業務合并可能是下一步計劃。根據據13日歐司朗微信官網發布的消息稱,歐司朗宣布已與艾邁斯達成全面的企業合并協議,并建議其股東接受目前的收購要約。要約價格每股41歐元,對該公司股東而言有42%的高溢價。這相當于45億歐元的企業價值。

可以看到的是,新報價還為公司員工帶來了實質性的有利政策。在新的業務合并協議中,Osram和AMS就整合Osram的重要點達成了一致。此外,艾邁斯明確支持歐司朗的光電發展戰略,歐司朗品牌亦將出現在新集團的公司名稱上。

最重要的是,由于交易原因,直到2020年底,德國工廠的員工都不會被裁掉。公司職能部門的領導人和團隊中的很大一部分將以慕尼黑為核心總部。

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AFBR-2419Z 帶ST端口的50MBd微型鏈路光纖接收器

AFBR-2419Z 光纖接收器設計用于Broadcom HFBR-14xxZ / -1712TZ 光纖發射器和多模玻璃光纜。具有透鏡的光學系統確保了與接收器的一致耦合。接收器輸出是數字CMOS / TTL信號。 AFBR-2419Z接收器包含一個集成光電二極管的IC,可直接將輸入光信號轉換為數字輸出信號,無需額外的外部電路。由于其集成設計,接收器具有非常高的EMC電阻。可實現寬接收器動態范圍和高溫度靈敏度。數據速率通常從100kBd到50MBd。 A 監視器(RSSI)輸出,提供與平均入射光功率成比例的輸出電流,可用. 功能 符合RoHS標準  適用于Broadcom HFBR- 14xxZ(820nm LED)和HFBR-1712TZ(850nm VCSEL)發射器  信號速率從100 kBd到50 MBd的數據傳輸  接收器:集成PIN二極管和使用CMOS / TTL輸出邏輯數字化IC  使用多模玻璃光纖電纜距離最遠3 km  工作溫度范圍為-40°C至+ 85°C  兼容10Base-FL標準   3.3 V和5 V電源電壓操作   RSSI輸出 應用 100 kBd至50 MBd的光傳輸 工業控制和工廠自動化 高壓隔離 消除接地回路 降低電壓瞬變敏感度 變電站自動化...
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AFBR-2419Z 帶ST端口的50MBd微型鏈路光纖接收器

AFBR-2419TZ 50MBd微型鏈路光纖接收器,帶有螺紋ST端口

AFBR-2419TZ光纖接收器設計用于Broadcom HFBR-14xxZ / -1712TZ光纖發射器和多模玻璃光纖電纜。具有透鏡的光學系統確保了與接收器的一致耦合。接收器輸出是數字CMOS / TTL信號。 AFBR-2419TZ接收器包含一個集成光電二極管的IC,可直接將輸入的光信號轉換為數字輸出信號,而無需額外的外部電路。由于其集成設計,接收器具有非常高的EMC電阻。可實現寬接收器動態范圍和高溫度靈敏度。數據速率通常從100kBd到50MBd。可提供監視器(RSSI)輸出,其輸出電流與平均輸入光功率成比例。   功能  符合RoHS標準  與Broadcom HFBR-14xxZ(820nm LED)和HFBR-1712TZ(850nm VCSEL)發射器配合使用  信號速率為100 kBd的數據傳輸高達50 MBd  接收器:集成PIN二極管和帶CMOS / TTL輸出邏輯的數字化IC  多模玻璃光纖電纜距離最遠3 km  工作溫度范圍-40°C至+ 85°C  兼容10Base-FL標準   3.3 V和5 V電源電壓操作   RSSI輸出 應用程序 光學傳輸范圍從100 kBd到50 MBd 工業控制和工廠自動化 高壓隔離 消除接地回路 降低電壓瞬變...
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AFBR-2419TZ 50MBd微型鏈路光纖接收器,帶有螺紋ST端口

AFBR-2419MZ 50MBd微型鏈路光纖接收器,帶金屬ST端口

AFBR-2419MZ光纖接收器設計用于Broadcom HFBR-14xxZ / -1712TZ光纖發射器和多模玻璃光纖電纜。具有透鏡的光學系統確保了與接收器的一致耦合。接收器輸出是數字CMOS / TTL信號。 AFBR-2419MZ接收器包含一個集成光電二極管的IC,可直接將輸入的光信號轉換為數字輸出信號,而無需額外的外部電路。由于其集成設計,接收器具有非常高的EMC電阻。可實現寬接收器動態范圍和高溫度靈敏度。數據速率通常從100kBd到50MBd。可提供監視器(RSSI)輸出,其輸出電流與平均輸入光功率成比例。   功能  符合RoHS標準  與Broadcom HFBR-14xxZ(820nm LED)和HFBR-1712TZ(850nm VCSEL)發射器配合使用  信號速率為100 kBd的數據傳輸高達50 MBd  接收器:集成PIN二極管和帶CMOS / TTL輸出邏輯的數字化IC  多模玻璃光纖電纜距離最遠3 km  工作溫度范圍-40°C至+ 85°C  兼容10Base-FL標準   3.3 V和5 V電源電壓操作   RSSI輸出 應用程序 光學傳輸范圍從100 kBd到50 MBd 工業控制和工廠自動化 高壓隔離 消除接地回路 降低電壓瞬變...
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AFBR-2419MZ 50MBd微型鏈路光纖接收器,帶金屬ST端口

AFCD-P34CW 8,10和14 Gb / s 850nm 1x4陣列PIN光電探測器

Broadcom AFCD-P34CW是一款高性能850nm,4通道PIN探測器陣列,位于300微米厚的基板上。陣列中的每個PIN設計用于支持多模光纖上的光鏈路,串行(NRZ)比特率高達14.025 Gb / s。 特性 高可靠性III- V頂部入口1x4 PIN陣列 高帶寬性能 850nm中心波長的響應度  低電容  符合RoHs 應用程序 8/10/14 Gb / s數字通信鏈接 QSFP收發器
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AFCD-P34CW 8,10和14 Gb / s 850nm 1x4陣列PIN光電探測器

AFCD-P51GP 25 Gbps 850nm PIN光電探測器

Broadcom AFCD-P51GP是一款高性能850nm,單通道25 Gb / s PIN探測器,在150微米厚的基板上具有40微米的光學窗口直徑。它旨在通過串行(NRZ)比特率高達25.78 Gb / s的多模光纖支持通信鏈路。 功能 高可靠性III-V頂級入口PIN 高帶寬性能 850nm中心波長的高響應度  40μm光學窗口直徑 低電容  SG聯系人配置  符合RoHS標準 應用程序 25 Gb / s數字通信鏈接 小型可插拔收發器 小型有源光纜(AOC)...
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AFCD-P51GP 25 Gbps 850nm PIN光電探測器

AFCD-P54GM 4x25 Gbps 850nm PIN光電探測器陣列

Broadcom AFCD-P54GM是一款高性能850nm,4通道25 Gb / s PIN探測器陣列,光學窗口直徑為40微米,寬度為150微米厚基板。陣列中的每個PIN設計用于支持多模光纖上的光鏈路,串行(NRZ)比特率高達25.78 Gb / s。 特性 高可靠性III- V頂部入口1x4 PIN陣列 高帶寬性能  對850nm中心波長的響應度 40μm光學窗口直徑 低電容  大光圈  SG聯系人配置  符合RoHs 應用程序 100GbE SR4 QSFP28可插拔收發器 100GbE QSFP28有源光纜(AOC)...
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AFCD-P54GM 4x25 Gbps 850nm PIN光電探測器陣列

AFCD-P54GD 4x25 Gbps 850nm PIN光電探測器陣列

Broadcom AFCD-P54GD是一款高性能850nm,4通道25 Gb / s PIN探測器陣列,在150微米厚的基板上具有31微米的光學窗口直徑。  陣列中的每個PIN都支持多模光纖上的光鏈路,串行(NRZ)比特率高達25.78125 Gb / s。 功能 高可靠性III-V頂部入口1x4 PIN陣列 高帶寬性能  對850nm中心波長的響應度 31μm光學窗口直徑 低電容  大光圈  SG聯系人配置  符合RoHs 應用程序 100GbE SR4 QSFP28可插拔收發器 100GbE QSFP28有源光纜(AOC)...
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AFCD-P54GD 4x25 Gbps 850nm PIN光電探測器陣列

AFCD-P21KP 10 Gb / s 850nm PIN光電探測器

Broadcom AFCD-P21KP是一款高性能850nm 10 Gb / s PIN探測器,具有150微米厚的基板。  此PIN設計用于支持多模光纖上的光鏈路,串行(NRZ)比特率高達10.3125 Gb / s。  功能 高帶寬性能  ; 850nm中心波長的高響應度 低電容  低串聯電阻  符合RoHs 應用程序 數字通信鏈路最高可達10.3125 Gb / s 小型可插拔收發器 小型設備有源光纜(AOC)
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AFCD-P21KP 10 Gb / s 850nm PIN光電探測器

SPD3025-4 28-Gb / s GaAs,1×4陣列PIN光電二極管,通道間距為250μm

SPD3025-4是一款臺面結構,基于GaAs的1× 4 PIN光電二極管陣列,具有高響應度,低暗電流和低電容,適用于高帶寬,高性能光接收機設計。 光電二極管’低寄生效應使其成為高速,多模4x25Gb / s和4x28Gb / s應用的理想選擇,與當今的高性能4x28Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相結合。   3焊盤G-S-G設計使用戶能夠靈活地進行跨阻放大器(TIA)的引線鍵合,并有助于減少相鄰通道的串擾。...
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SPD3025-4 28-Gb / s GaAs,1×4陣列PIN光電二極管,通道間距為250μm

SPD2025 28-Gb / s GaAs PIN光電二極管

SPD2025是一款臺面結構的基于GaAs的PIN光電二極管,可為高帶寬,高性能光接收機設計提供高響應度,低暗電流和低電容。光電二極管的低寄生效應使其成為高速,多模25Gb / s和28Gb / s應用的理想選擇,與當今的高性能28Gb / s單通道跨阻放大器(TIA)相結合。
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SPD2025 28-Gb / s GaAs PIN光電二極管

AFCD-P51GC 25 Gbps 850nm PIN光電探測器

Broadcom AFCD-P51GC是一款高性能850nm單通道25 Gb / s PIN探測器,在150微米厚的基板上具有31微米的光學窗口直徑。它旨在通過串行(NRZ)比特率高達25.78 Gb / s的多模光纖支持通信鏈路。 功能 高可靠性III-V頂級入口PIN 高帶寬性能  850nm中心波長的高響應度  31μm光學窗口直徑 低電容  SG聯系人配置  符合RoHS標準 應用程序 25 Gb / s數字通信鏈接 小型可插拔收發器 小型有源光纜(AOC)...
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AFCD-P51GC 25 Gbps 850nm PIN光電探測器

SPD2012-4 GaAs 1×3陣列PIN光電二極管

SPD2012-4是一款臺面結構的基于GaAs的PIN光電二極管陣列,提供四通道60mm頂部照明檢測窗口,每通道帶寬高達12GHz 。該產品具有高響應度,低暗電流,低電容和出色的可靠性。光電二極管的低寄生效應使其成為高速,多模,4x10Gb / s應用的理想選擇,與當今的高性能4x10Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相結合。
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SPD2012-4 GaAs 1×3陣列PIN光電二極管

SPD2012-12 GaAs 1×12陣列PIN光電二極管

SPD2012-12是一款臺面結構的基于GaAs的PIN光電二極管陣列,提供12通道60mm頂部照明檢測窗口,每通道帶寬高達12GHz 。該產品具有高響應度,低暗電流,低電容和出色的可靠性。光電二極管的低寄生效應使其成為QSFP28高速,多模,10x10Gb / s以太網,12x10Gb / s(120Gb / s),12倍和12.5Gb / s(150Gb / s)和12x14Gb / s(168Gb)的理想選擇/ s)用于CXP收發器和有源光纜(AOC)。
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SPD2012-12 GaAs 1×12陣列PIN光電二極管

SPD2025-4X 28-Gb / s GaAs,1×4陣列PIN光電二極管,通道間距為250μm

SPD2025-4X是一款臺面結構,基于GaAs的1× 4 PIN光電二極管陣列,具有高響應度,低暗電流和低電容,適用于高帶寬,高電容性能光接收機設計。光電二極管的低寄生效應使其成為高速,多模4x25Gb / s和4x28Gb / s應用的理想選擇,與當今的高性能4x28Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相結合。
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SPD2025-4X 28-Gb / s GaAs,1×4陣列PIN光電二極管,通道間距為250μm

SPD2014-4 GaAs 1×4陣列PIN光電二極管

SPD2014-4是一款臺面結構,基于GaAs的PIN光電二極管陣列,提供四通道60mm頂部照明檢測窗口,每通道帶寬高達12GHz 。該產品具有高響應度,低暗電流,低電容和出色的可靠性。光電二極管的低寄生效應使其成為高速,多模,4x10Gb / s應用的理想選擇,與當今的高性能4x10Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相結合。
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SPD2014-4 GaAs 1×4陣列PIN光電二極管

LPD3030-4 28-Gb / s InGaAs,1×4陣列PIN光電二極管,通道間距為250μm

LPD3030-4是一款高性能1倍和4基于InGaAs的PIN光電二極管陣列,提供四通道高響應度,低暗電流和低電容,適用于高帶寬,高性能光接收機設計。光電二極管的低寄生效應使其成為高速,單模,4x25Gb / s應用的理想選擇,與當今的高性能4x25Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相結合。
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LPD3030-4 28-Gb / s InGaAs,1×4陣列PIN光電二極管,通道間距為250μm

LPD3035-4 32 Gb / s InGaAs,1×4陣列PIN光電二極管,具有250-μmGSG通道間距

LPD3035-4是一款高性能1倍和4基于InGaAs的PIN光電二極管陣列,提供四通道高響應度,低暗電流和低電容,適用于高帶寬,高性能光接收機設計。光電二極管的低寄生效應使其成為高速,單模,4x28Gb / s應用的理想選擇,與當今高性能4x28Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相結合。
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LPD3035-4 32 Gb / s InGaAs,1×4陣列PIN光電二極管,具有250-μmGSG通道間距

LPD3012-4 10 Gb / s至14 Gb / s InGaAs,1×4陣列PIN光電二極管,通道間距為250μm

LPD3012-4-32是一款基于InGaAs的高性能PIN光電二極管陣列,提供4通道32um頂部照明檢測窗口,帶寬高達12GHz每個頻道。該產品具有高響應度,低暗電流,低電容和出色的可靠性。光電二極管的低寄生效應使其成為高速,單模,4x25Gb / s應用的理想選擇,與當今的高性能4x25Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)結合使用
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LPD3012-4 10 Gb / s至14 Gb / s InGaAs,1×4陣列PIN光電二極管,通道間距為250μm
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